• 越南半導(dǎo)體破局:自研芯片問世
    在東南亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖上,越南正以自主研發(fā)芯片的突破性進(jìn)展,刻下屬于它的印記。近期,越南CT集團(tuán)于胡志明市發(fā)布一款由越南工程師設(shè)計(jì)的物聯(lián)網(wǎng)芯片,采用CMOS及III/V族半導(dǎo)體技術(shù),適用于無人機(jī)、智能設(shè)備、電信等領(lǐng)域。這標(biāo)志著該國(guó)在建設(shè)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和生產(chǎn)能力方面的雄心取得了顯著進(jìn)展。
    越南半導(dǎo)體破局:自研芯片問世
  • 國(guó)產(chǎn)晶圓代工,市場(chǎng)巨變!
    未來十年,將是晶圓代工業(yè)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折期。這一判斷,在近期一組數(shù)據(jù)中得到了清晰印證。根據(jù)?Yole Group?的最新報(bào)告,中國(guó)大陸有望在?2030?年超越中國(guó)臺(tái)灣,躍居全球最大半導(dǎo)體晶圓代工中心。
    國(guó)產(chǎn)晶圓代工,市場(chǎng)巨變!
  • 臺(tái)積電計(jì)劃停止GaN芯片生產(chǎn)
    7月1日,納微半導(dǎo)體公布了一份8-K文件,其中提到,“在獲悉公司唯一的氮化鎵晶圓供應(yīng)商臺(tái)積電將于 2027 年 7 月停止 GaN 生產(chǎn)后,納微將繼續(xù)計(jì)劃實(shí)現(xiàn)氮化鎵晶圓供應(yīng)來源多元化。(Navitas will continue plans to diversify its sources of GaN wafers after being informed that Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), the Company’s sole source of GaN wafers, will end GaN production in July 2027)
    臺(tái)積電計(jì)劃停止GaN芯片生產(chǎn)
  • 700多億AP-SOC巨頭將登入科創(chuàng)板 看看會(huì)激起多大水花?
    近期,中國(guó)證監(jiān)會(huì)網(wǎng)上辦事服務(wù)平臺(tái)披露信息顯示,紫光展銳(上海)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“紫光展銳”)已在上海證監(jiān)局完成首次公開發(fā)行股票(IPO)輔導(dǎo)備案工作,擬在科創(chuàng)板上市,輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為國(guó)泰海通、中信建投。這意味著紫光展銳正式開啟IPO之路,有望借助資本市場(chǎng)的力量進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù),提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
    700多億AP-SOC巨頭將登入科創(chuàng)板 看看會(huì)激起多大水花?
  • “非科班也配卷IC?” 211材料碩士上岸海思
    配!這位學(xué)員的故事,印證了“機(jī)會(huì)是留給有準(zhǔn)備的人的”這句話。 在IC設(shè)計(jì)行業(yè)如此內(nèi)卷的當(dāng)下,這位小J同學(xué)(211材料碩)先后拿到國(guó)內(nèi)某大廠和海思的Offer,其中的困難艱辛和超絕致勝點(diǎn)只有他自己清楚,這次我們邀請(qǐng)小J同學(xué)分享上岸經(jīng)驗(yàn),他非常上心,給大家分享了很多干貨心得和真心話。 文章有點(diǎn)長(zhǎng),但絕對(duì)值得諸君仔細(xì)閱讀、收藏。 大家好,我是小J,修真院數(shù)字驗(yàn)證班的一位學(xué)員。很榮幸能夠在這給大家分享經(jīng)驗(yàn)
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    16小時(shí)前
  • 新一代DRAM技術(shù)和市場(chǎng)趨勢(shì)深度解讀分享
    FMS 2024報(bào)告,作者是Yole Intelligenc首席分析師Simone Bertolazzi博士。 一、內(nèi)存與計(jì)算技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì) 數(shù)據(jù)來源:YoleYole Intelligence聯(lián)合Intel、Micron共同發(fā)布內(nèi)存與計(jì)算技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì),核心揭示了內(nèi)存性能提升速度已無法匹配計(jì)算需求的爆炸式增長(zhǎng),呈現(xiàn)了以下關(guān)鍵矛盾與趨勢(shì): 1.計(jì)算需求加速 vs 內(nèi)存帶寬滯后 左側(cè)圖表顯示計(jì)算芯片的核
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    16小時(shí)前
    新一代DRAM技術(shù)和市場(chǎng)趨勢(shì)深度解讀分享
  • 三星認(rèn)慫!官宣推遲1.4nm量產(chǎn)
    三星電子晶圓代工部門正式宣布推遲
  • 國(guó)資如何退出是當(dāng)下半導(dǎo)體并購(gòu)的重要問題
    這幾年半導(dǎo)體并購(gòu)一直雷聲大雨點(diǎn)小,看上去很多并購(gòu)在談,但是談成的很少。除了估值過高外,最主要的阻礙是國(guó)資難以退出。從2014年大基金成立以來,央企和地方政府也成立了很多基金進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),尤其在重資產(chǎn)領(lǐng)域占比很高。現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)形勢(shì)發(fā)生重大變化,國(guó)資如何退出就成為產(chǎn)業(yè)并購(gòu)的首要問題。要解決這個(gè)老大難問題,需要國(guó)資退出的新思維。
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    22小時(shí)前
  • 音頻變壓器主要參數(shù)及選型指南
    音頻變壓器是音頻信號(hào)傳輸和處理中不可或缺的元件,廣泛應(yīng)用于音頻放大器、錄音設(shè)備、揚(yáng)聲器系統(tǒng)等。選擇合適的音頻變壓器對(duì)于確保音頻信號(hào)的質(zhì)量和系統(tǒng)的性能至關(guān)重要。以下是一篇關(guān)于音頻變壓器選型的詳細(xì)指南,幫助你選擇適合的音頻變壓器。 一、音頻變壓器的主要參數(shù) 1.頻率響應(yīng) ? 定義:音頻變壓器在不同頻率下的信號(hào)傳輸能力,通常以頻率范圍(如20Hz到20kHz)和對(duì)應(yīng)的插入損耗(如±3dB)表示。 ? 重
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    23小時(shí)前
  • SiC MOSFET高效又安全 選好柵極驅(qū)動(dòng)器很重要
    SiC MOSFET高效又安全,選好柵極驅(qū)動(dòng)器很重要 隔離驅(qū)動(dòng)在新能源應(yīng)用中扮演了非常重要的角色,將直接或間接影響新能源產(chǎn)品的安全性、可靠性、壽命、效率以及成本等,本期從5個(gè)方面解讀隔離驅(qū)動(dòng)的重要參數(shù); 1.安規(guī)方面 2.時(shí)間相關(guān)的介電擊穿(TDDB) 3.共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI) 4.傳輸延時(shí)(Tpd) 5.驅(qū)動(dòng)能力(Isink&Isource) 1.安規(guī)方面 隔離耐壓(Viso) 隔
  • 歌爾推進(jìn)SiC合作,有何考量?
    天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、同光半導(dǎo)體、爍科晶體、泰坦未來、晶瑞電子、芯聚能、三安半導(dǎo)體、安海半導(dǎo)體、華卓精科、快克芯裝備、合盛新材料、京航特碳、恒普技術(shù)、奧億達(dá)新材料、凌銳半導(dǎo)體、中電化合物、
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    07/02 09:16
    SiC
    歌爾推進(jìn)SiC合作,有何考量?
  • 浪涌后備保護(hù)器必須要裝嗎 通常用在哪些地方
    有些用戶認(rèn)為,浪涌保護(hù)器前端已經(jīng)裝配了熔斷器或斷路器了,所以不用再裝專用后備保護(hù)器(SSD)。但需要知道的是,這種傳統(tǒng)的后備保護(hù)裝置存在嚴(yán)重缺陷,比如: 1、響應(yīng)速度慢:熔斷器和斷路器的動(dòng)作時(shí)間通常在毫秒級(jí),而浪涌事件的持續(xù)時(shí)間極短(納秒到微秒級(jí))。這種延遲可能導(dǎo)致浪涌保護(hù)器在保護(hù)裝置動(dòng)作前已經(jīng)受到損壞,無法提供有效保護(hù)。 2、無法承受多次浪涌:熔斷器和斷路器設(shè)計(jì)用于過載或短路保護(hù),而非頻繁的浪涌
  • 碳化硅高速電機(jī)控制器設(shè)計(jì)及效能分析
    高速電機(jī),碳化硅模塊,永磁同步電機(jī),碳化硅mos,SiC
  • 購(gòu)買三星車規(guī)電容(MLCC) 為什么選擇代理商貞光科技
    作為三星MLCC授權(quán)代理商,我們貞光科技深耕汽車電子領(lǐng)域多年,見證了新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā)式增長(zhǎng)。車規(guī)級(jí)MLCC需求激增,選擇專業(yè)可靠的代理商變得至關(guān)重要。 三星車規(guī)MLCC——貞光科技核心代理產(chǎn)品 技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) 三星電機(jī)具備600層大容量MLCC生產(chǎn)能力,在車規(guī)級(jí)電容領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先。我們代理的三星車規(guī)MLCC產(chǎn)品線完整,覆蓋各種應(yīng)用需求。 2024年7月,三星電機(jī)推出2000V高壓MLCC,尺
  • EOCR-SE2-05NS 和 EOCR-SE2-05RS產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明
    EOCR-SE2-05NS 和 EOCR-SE2-05RS 是施耐德旗下韓國(guó)三和品牌的經(jīng)濟(jì)型馬達(dá)保護(hù)器,均具備過電流、缺相和堵轉(zhuǎn)保護(hù)功能,但兩者在安全模式、接線方式、適用場(chǎng)景等方面存在差異。以下是對(duì)這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹: 一、產(chǎn)品特點(diǎn) 1.EOCR-SE2-05NS -安全模式:供電后被激勵(lì)性,俗稱安全模式。當(dāng)A1-A2供電后,輸出觸點(diǎn)95-96常閉點(diǎn),95-98常開點(diǎn)立刻發(fā)生改變。 -通訊功能:
  • 注塑PEEK閥門高性能流體控制系統(tǒng)解決方案
    PEEK閥門設(shè)計(jì)是為了在苛刻的環(huán)境中提供卓越的性能。這些閥門以其優(yōu)異的耐化學(xué)性和輕質(zhì)特性而得到廣泛運(yùn)用,是高壓和耐腐蝕環(huán)境的理想選擇。無論是在醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)流體控制還是實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)中,PEEK閥門都能提供精確可靠的流量控制。憑借承受極端溫度和腐蝕性化學(xué)品的能力,它們?yōu)榱黧w處理系統(tǒng)提供了持久的解決方案。 一、PEEK閥門在醫(yī)療與半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用 -醫(yī)療領(lǐng)域:用于透析設(shè)備的PEEK閥門,耐受高溫高壓滅菌
  • 分立式與集成式 RJ45標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)參考
    百兆以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計(jì) 此方案為沃虎電子科技(VOOHU)百兆以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)方案,公司專注于通訊電子元件領(lǐng)域已逾8年,公司秉承選沃虎真靠譜的經(jīng)營(yíng)策略與服務(wù)理念,提供全套的技術(shù)方案支持。 電流型PHY標(biāo)準(zhǔn)方案(分立式&集成式)方案簡(jiǎn)介 1. 初級(jí)側(cè)接線: 差分對(duì)連接:網(wǎng)絡(luò)變壓器的初級(jí)側(cè)分別接入TD和RD的差分對(duì),PCB布線時(shí)兩組差分對(duì)的線序可以交換。 ? 去耦電容:初級(jí)側(cè)應(yīng)通過一個(gè)100nF的電
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    07/01 14:45
  • 萬萬沒想到,靜電卡盤的項(xiàng)目也開始卷了
    我還是低估了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體項(xiàng)目創(chuàng)業(yè)的內(nèi)卷程度了靜電卡盤的項(xiàng)目在幾年前可是超級(jí)香餑餑,而今年年初我在統(tǒng)計(jì)相關(guān)供應(yīng)商的時(shí)候就發(fā)現(xiàn)國(guó)內(nèi)出現(xiàn)太多相關(guān)項(xiàng)目了當(dāng)時(shí)我已經(jīng)在感嘆這個(gè)行業(yè)也開始內(nèi)卷??墒亲罱以谡碓O(shè)備陶瓷零部件的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)里又新增了好幾家供應(yīng)商。
    萬萬沒想到,靜電卡盤的項(xiàng)目也開始卷了
  • 混合鍵合,下一個(gè)焦點(diǎn)
    作者;豐寧 "混合鍵合"?之戰(zhàn),似乎已箭在弦上。 不管是在晶圓代工龍頭、存儲(chǔ)芯片巨頭還是半導(dǎo)體設(shè)備龍頭的發(fā)展路線圖中,幾乎都能看到?"混合鍵合(Hybrid Bonding)"?這一關(guān)鍵詞。 那么,為何這項(xiàng)技術(shù)能讓臺(tái)積電、三星等巨頭集體押注?它又憑什么征服先進(jìn)封裝的下一個(gè)十年? 01 混合鍵合,下一個(gè)十年 隨著摩爾定律逐漸進(jìn)入其發(fā)展軌跡的后半段,芯片產(chǎn)業(yè)越來越依賴先進(jìn)的封裝技術(shù)來推動(dòng)性能的飛躍。這
    混合鍵合,下一個(gè)焦點(diǎn)
  • 英諾賽科獲巨頭力挺,牛大了!
    全球氮化鎵龍頭英諾賽科發(fā)布了一則引人矚目的公告,公司最大基石投資者、國(guó)際半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體自愿延長(zhǎng)禁售期,將原本2025年6月29日到期的禁售期延長(zhǎng)至2026年6月29日 。這一舉動(dòng)不僅是意法半導(dǎo)體對(duì)英諾賽科長(zhǎng)期價(jià)值的高度認(rèn)可,凸顯了產(chǎn)業(yè)資本對(duì)氮化鎵領(lǐng)域前景的堅(jiān)定信心。

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