MOSFET

• Wolfspeed 1700 V MOSFET 技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

  在幾乎所有電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會(huì)配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級(jí)，此類(lèi)電源通常受到的關(guān)注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運(yùn)行的關(guān)鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時(shí)最大限度地降低風(fēng)險(xiǎn)并支持多源采購(gòu)——設(shè)計(jì)人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。 Wolfspeed 推出的工業(yè)級(jí) C3M0900170x 和獲得車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證 (AEC-Q101

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  5小時(shí)前

  電動(dòng)汽車(chē) pcb

  
• 英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2

  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專(zhuān)為提升汽車(chē)及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。它提供一系列精細(xì)化的產(chǎn)品組合，在25°C時(shí)R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車(chē)載充電器（OBC）、 DC

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  07/01 10:15

  英飛凌 轉(zhuǎn)換器

  
• 意法半導(dǎo)體推出新款柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于控制無(wú)線家電、移動(dòng)機(jī)器人和工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的無(wú)刷電機(jī)

  意法半導(dǎo)體推出新一代集成化柵極驅(qū)動(dòng)器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無(wú)刷電機(jī)，提高消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的性能、能效和經(jīng)濟(jì)性。 STDRIVE102H適用于單電阻電流采樣電機(jī)控制方案，而STDRIVE102BH適用于三電阻電流采樣電機(jī)控制設(shè)計(jì)，工作電壓范圍6V 至 50V，設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)兩個(gè)模擬引腳輕松配置驅(qū)動(dòng)器，用一個(gè)簡(jiǎn)單的電阻分壓器設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流，無(wú)需使用

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  06/23 08:12

  意法半導(dǎo)體 MOSFET

  
• SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)

  基于多個(gè)高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢(shì)，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個(gè)區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)：設(shè)計(jì)自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個(gè) MOSFET 無(wú)法滿足功率需求時(shí)，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問(wèn)題。 然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開(kāi)關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱

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  06/19 17:35

  MOSFET 散熱器

  
• 本土功率器件上市公司營(yíng)收top10 | 2024年

  2024年，全球功率器件市場(chǎng)整體呈萎靡態(tài)勢(shì)。然而，中國(guó)市場(chǎng)受益于本土新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，市場(chǎng)規(guī)模仍呈現(xiàn)上漲態(tài)勢(shì)。本土廠商整體實(shí)力顯著提升，不斷加大研發(fā)投入，加快技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品迭代，逐步突破高端領(lǐng)域瓶頸，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程顯著加快。 一年一統(tǒng)計(jì)，本期與非網(wǎng)聚焦本土功率器件上市公司，詳盡梳理頭部上市公司的2024年?duì)I業(yè)收入規(guī)模和企業(yè)動(dòng)態(tài)。往期可參考《本土功率器件上市公司營(yíng)收top1

  史德志

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  06/19 10:00

  SiC MOSFET

  
• 在MOSFET中，什么是CGD電容？與哪些工藝相關(guān)？

  什么是Cgd電容？想象一下MOSFET就像一個(gè)水龍頭，柵極(G)是開(kāi)關(guān)把手，漏極(D)是出水口，源極(S)是進(jìn)水口。Cgd就是把手和出水口之間"看不見(jiàn)的電線"（電容），它會(huì)讓開(kāi)關(guān)動(dòng)作變得不那么干脆。

  國(guó)芯制造

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  06/18 12:44

  電容 MOSFET

  
• CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

  上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiC? MOSFET?G2的產(chǎn)品特性。那么在實(shí)際應(yīng)用中，G2如何進(jìn)行正確的選型呢？接下來(lái)兩篇文章會(huì)和大家仔細(xì)探討這個(gè)問(wèn)題。今天的文章將會(huì)主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。

  英飛凌

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  06/17 10:05

  MOSFET 導(dǎo)通電阻
• 英飛凌CoolMOS 8超結(jié)MOSFET為光寶科技數(shù)據(jù)中心應(yīng)用樹(shù)立最佳系統(tǒng)性能新標(biāo)桿

  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）為電源管理解決方案領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者光寶科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，使服務(wù)器應(yīng)用擁有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS? 8提供了一體化解決方案，將優(yōu)化光寶科技新一代技術(shù)在現(xiàn)有及未來(lái)服務(wù)器應(yīng)用與數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)中的性能

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  06/13 15:41

  英飛凌 MOSFET

  
• 南芯科技再推新品，為ADAS系統(tǒng)提供一站式電源解決方案

  南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出車(chē)規(guī)級(jí)升降壓轉(zhuǎn)換器 SC8748Q/SC8749Q，以及高邊開(kāi)關(guān) SC71420Q/SC71440Q，為 ADAS 系統(tǒng)提供從 ECU 到攝像頭模塊的一站式電源解決方案。全新升降壓轉(zhuǎn)換器集成四個(gè) MOSFET，支持 3.7V-36V 的輸入電壓及 2.5V-20V 的輸出電壓，可連續(xù)輸出最高 3A/5A 的電流，同時(shí)提供可選的展頻功能以?xún)?yōu)化 EMI 性能，

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  06/13 14:05

  MCU 智能駕駛

  
• SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

  作者：安森美 安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，本文將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。 Cascode簡(jiǎn)介 碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱(chēng)為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著如果沒(méi)有柵源電壓，或者

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  06/13 08:40

  SiC MOSFET

  
• BLDC驅(qū)動(dòng)必修課：為何現(xiàn)代MOSFET驅(qū)動(dòng)IC偏愛(ài)“上高下高”邏輯？

  在無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)的控制系統(tǒng)中，6路PWM信號(hào)精準(zhǔn)控制上下橋MOSFET的開(kāi)關(guān)是核心。你是否注意到，驅(qū)動(dòng)IC對(duì)PWM高低電平有效性的配置，經(jīng)歷了從“上高下低”到“上高下高”的顯著轉(zhuǎn)變？這背后不僅僅是邏輯定義的不同，更是技術(shù)與可靠性的進(jìn)化。今天，我們就來(lái)揭秘這兩種PWM配置邏輯的本質(zhì)與選擇依據(jù)。

  CW32生態(tài)社區(qū)

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  06/12 09:09

  MOSFET bldc

  
• CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述

  英飛凌新發(fā)布了CoolSiC? MOSFET Gen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V Gen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2?SiC性?xún)r(jià)比提高了15%，是各種工業(yè)應(yīng)用的理想之選。

  英飛凌

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  06/10 10:20

  MOSFET

  
• 無(wú)刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)MOSFET

  當(dāng)無(wú)葉風(fēng)扇送出柔風(fēng)時(shí)，內(nèi)部13萬(wàn)轉(zhuǎn)無(wú)刷電機(jī)正被MOSFET精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)；掃地機(jī)鉆進(jìn)7cm縫隙，7組電機(jī)協(xié)同完成毫米級(jí)貼邊清掃；電動(dòng)牙刷以31,000次/分鐘振動(dòng)清潔齒縫，筋膜槍在50μs內(nèi)響應(yīng)力度調(diào)節(jié)，而高空作業(yè)無(wú)人機(jī)正用高壓水刷洗摩天幕墻——這些看似平常的設(shè)備，背后都藏著無(wú)刷電機(jī)+電子驅(qū)動(dòng)的精密控制系統(tǒng)。 一、電機(jī)驅(qū)動(dòng)的技術(shù)內(nèi)核：從機(jī)械換向到電子革命 機(jī)械換向時(shí)代—有刷電機(jī) 傳統(tǒng)有刷電機(jī)依賴(lài)碳刷與換

  eefocus_4006230

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  06/06 17:13

  MOSFET 電機(jī)
• 車(chē)輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢(shì)篇

  作者：安森美 向軟件定義汽車(chē) (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車(chē)制造商不斷創(chuàng)新，在區(qū)域控制器中集成受保護(hù)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。電子保險(xiǎn)絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器提供保護(hù)，從而提高功能安全性，更好地應(yīng)對(duì)功能故障情況。不同于傳統(tǒng)的域架構(gòu)，區(qū)域控制架構(gòu)采用集中控制和計(jì)算的方式，將分散在各個(gè) ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強(qiáng)大的中央計(jì)算機(jī)處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。 系統(tǒng)描述 電動(dòng)

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  06/05 08:50

  MOSFET 安森美

  
• 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成

  在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類(lèi)似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時(shí)間，公司成了為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已

  王兵

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  06/04 10:01

  SiC MOSFET

  
• ROHM開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，開(kāi)發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用的理想之選。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計(jì)該尺寸產(chǎn)品未來(lái)需求將不斷增長(zhǎng)，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms

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  06/03 14:18

  MOSFET ROHM

  
• Vishay 新款具有領(lǐng)先導(dǎo)通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性

  這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼，從而改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款采用無(wú)引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)導(dǎo)通電阻的新款80 V TrenchFET? Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應(yīng)用

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  05/30 17:30

  電阻 MOSFET

  
• 利用理想二極管，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的電源

  作者：Frederik Dostal，電源管理專(zhuān)家 摘要 穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個(gè)電源。使用多個(gè)不同電源為器件供電時(shí)，需要部署若干開(kāi)關(guān)以將電源相互分隔開(kāi)，以防損壞。對(duì)此，固然可在電源路徑中使用多個(gè)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類(lèi)理想二極管的優(yōu)勢(shì)。文中將展示兩個(gè)版本的理想二極管：一個(gè)是無(wú)需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個(gè)版本則更加簡(jiǎn)單，始終由更高的

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  05/22 17:33

  電路 二極管

  
• AMEYA360 ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET 助力快速充電應(yīng)用

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過(guò)在一個(gè)器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

  AMEYA360

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  05/20 16:23

  快充 MOSFET
• MDDG03R04Q,低內(nèi)阻大電流 服務(wù)器和新能源的好幫手

  在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N溝道增強(qiáng)型MOS）憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。 一、產(chǎn)品概述：PowerTrench工藝與屏蔽柵技術(shù)的融合 ? MDDG03R04Q采用MDD的Trenc

  MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

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  05/20 10:21

  半導(dǎo)體 MOSFET

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