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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。收起

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  • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本
    在幾乎所有電機驅(qū)動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關(guān)注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運行的關(guān)鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時最大限度地降低風(fēng)險并支持多源采購——設(shè)計人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。 Wolfspeed 推出的工業(yè)級 C3M0900170x 和獲得車規(guī)級認(rèn)證 (AEC-Q101
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  • 意法半導(dǎo)體推出新款柵極驅(qū)動器，適用于控制無線家電、移動機器人和工業(yè)驅(qū)動設(shè)備的無刷電機
    意法半導(dǎo)體推出新一代集成化柵極驅(qū)動器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無刷電機，提高消費電子和工業(yè)設(shè)備的性能、能效和經(jīng)濟性。 STDRIVE102H適用于單電阻電流采樣電機控制方案，而STDRIVE102BH適用于三電阻電流采樣電機控制設(shè)計，工作電壓范圍6V 至 50V，設(shè)計人員可以通過兩個模擬引腳輕松配置驅(qū)動器，用一個簡單的電阻分壓器設(shè)置柵極驅(qū)動器的驅(qū)動電流，無需使用
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  • SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)
    基于多個高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來獨特優(yōu)勢：設(shè)計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個 MOSFET 無法滿足功率需求時，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。 然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱
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  • 本土功率器件上市公司營收top10 | 2024年
    2024年，全球功率器件市場整體呈萎靡態(tài)勢。然而，中國市場受益于本土新能源汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的需求增長，市場規(guī)模仍呈現(xiàn)上漲態(tài)勢。本土廠商整體實力顯著提升，不斷加大研發(fā)投入，加快技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品迭代，逐步突破高端領(lǐng)域瓶頸，國產(chǎn)化進程顯著加快。 一年一統(tǒng)計，本期與非網(wǎng)聚焦本土功率器件上市公司，詳盡梳理頭部上市公司的2024年營業(yè)收入規(guī)模和企業(yè)動態(tài)。往期可參考《本土功率器件上市公司營收top1
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    06/19 10:00
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  • 在MOSFET中，什么是CGD電容？與哪些工藝相關(guān)？
    什么是Cgd電容？想象一下MOSFET就像一個水龍頭，柵極(G)是開關(guān)把手，漏極(D)是出水口，源極(S)是進水口。Cgd就是把手和出水口之間"看不見的電線"（電容），它會讓開關(guān)動作變得不那么干脆。
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    06/18 12:44
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  • CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析
    上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiC? MOSFET?G2的產(chǎn)品特性。那么在實際應(yīng)用中，G2如何進行正確的選型呢？接下來兩篇文章會和大家仔細(xì)探討這個問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。
  • 英飛凌CoolMOS 8超結(jié)MOSFET為光寶科技數(shù)據(jù)中心應(yīng)用樹立最佳系統(tǒng)性能新標(biāo)桿
    全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）為電源管理解決方案領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者光寶科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，使服務(wù)器應(yīng)用擁有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS? 8提供了一體化解決方案，將優(yōu)化光寶科技新一代技術(shù)在現(xiàn)有及未來服務(wù)器應(yīng)用與數(shù)據(jù)中心設(shè)計中的性能
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  • 南芯科技再推新品，為ADAS系統(tǒng)提供一站式電源解決方案
    南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出車規(guī)級升降壓轉(zhuǎn)換器 SC8748Q/SC8749Q，以及高邊開關(guān) SC71420Q/SC71440Q，為 ADAS 系統(tǒng)提供從 ECU 到攝像頭模塊的一站式電源解決方案。全新升降壓轉(zhuǎn)換器集成四個 MOSFET，支持 3.7V-36V 的輸入電壓及 2.5V-20V 的輸出電壓，可連續(xù)輸出最高 3A/5A 的電流，同時提供可選的展頻功能以優(yōu)化 EMI 性能，
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  • SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
    作者：安森美 安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。 Cascode簡介 碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者
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  • BLDC驅(qū)動必修課：為何現(xiàn)代MOSFET驅(qū)動IC偏愛“上高下高”邏輯？
    在無刷直流（BLDC）電機的控制系統(tǒng)中，6路PWM信號精準(zhǔn)控制上下橋MOSFET的開關(guān)是核心。你是否注意到，驅(qū)動IC對PWM高低電平有效性的配置，經(jīng)歷了從“上高下低”到“上高下高”的顯著轉(zhuǎn)變？這背后不僅僅是邏輯定義的不同，更是技術(shù)與可靠性的進化。今天，我們就來揭秘這兩種PWM配置邏輯的本質(zhì)與選擇依據(jù)。
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  • CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述
    英飛凌新發(fā)布了CoolSiC? MOSFET Gen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V Gen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2?SiC性價比提高了15%，是各種工業(yè)應(yīng)用的理想之選。
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    06/10 10:20
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  • 無刷電機的驅(qū)動MOSFET
    當(dāng)無葉風(fēng)扇送出柔風(fēng)時，內(nèi)部13萬轉(zhuǎn)無刷電機正被MOSFET精準(zhǔn)驅(qū)動；掃地機鉆進7cm縫隙，7組電機協(xié)同完成毫米級貼邊清掃；電動牙刷以31,000次/分鐘振動清潔齒縫，筋膜槍在50μs內(nèi)響應(yīng)力度調(diào)節(jié)，而高空作業(yè)無人機正用高壓水刷洗摩天幕墻——這些看似平常的設(shè)備，背后都藏著無刷電機+電子驅(qū)動的精密控制系統(tǒng)。 一、電機驅(qū)動的技術(shù)內(nèi)核：從機械換向到電子革命 機械換向時代—有刷電機 傳統(tǒng)有刷電機依賴碳刷與換
  • 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
    作者：安森美 向軟件定義汽車 (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新，在區(qū)域控制器中集成受保護的半導(dǎo)體開關(guān)。電子保險絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器提供保護，從而提高功能安全性，更好地應(yīng)對功能故障情況。不同于傳統(tǒng)的域架構(gòu)，區(qū)域控制架構(gòu)采用集中控制和計算的方式，將分散在各個 ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強大的中央計算機處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。 系統(tǒng)描述 電動
    車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
  • 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成
    在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時間，公司成了為國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設(shè)計、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已
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    06/04 10:01
    晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成

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