dram

• 新一代DRAM技術(shù)和市場(chǎng)趨勢(shì)深度解讀分享

  FMS 2024報(bào)告，作者是Yole Intelligenc首席分析師Simone Bertolazzi博士。 一、內(nèi)存與計(jì)算技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì) 數(shù)據(jù)來(lái)源：YoleYole Intelligence聯(lián)合Intel、Micron共同發(fā)布內(nèi)存與計(jì)算技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)，核心揭示了內(nèi)存性能提升速度已無(wú)法匹配計(jì)算需求的爆炸式增長(zhǎng)，呈現(xiàn)了以下關(guān)鍵矛盾與趨勢(shì)： 1.計(jì)算需求加速 vs 內(nèi)存帶寬滯后 左側(cè)圖表顯示計(jì)算芯片的核

  芯科技圈

  555

  16小時(shí)前

  dram HBM

  
• 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)收排名及趨勢(shì)預(yù)測(cè)（20205-Q1）

  最近，隨著全球主要存儲(chǔ)器廠商公布了今年Q1的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)，我也根據(jù)各方面數(shù)據(jù)整理了一系列最新?tīng)I(yíng)收排名表和趨勢(shì)圖，供大家參考：1）Samsung、SK Hynix和Micron的數(shù)據(jù)來(lái)自各家官網(wǎng)發(fā)布的財(cái)報(bào)。其數(shù)據(jù)和DrameXchange發(fā)布的數(shù)據(jù)存在微小差異，所以我選擇以財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。 2）Samsung的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)里存儲(chǔ)器營(yíng)收沒(méi)有區(qū)分DRAM和NAND，所以我根據(jù)DrameXchange的數(shù)據(jù)，按照比

  半導(dǎo)體綜研

  390

  06/24 15:26

  dram

  
• 突發(fā)！千億晶圓廠項(xiàng)目推遲

  SK海力士在投資擴(kuò)大其尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）產(chǎn)能方面持謹(jǐn)慎態(tài)度。據(jù)悉，該公司推遲了原定的提前將設(shè)備引入新工廠的計(jì)劃，今年整體設(shè)備投資規(guī)模的最終確定時(shí)間也被推遲。

  芯片說(shuō) IC TIME

  554

  06/19 10:50

  dram HBM

  
• DRAM，開(kāi)啟30年“新賭局”

  DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來(lái)了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會(huì)在日本東京舉行，會(huì)議上SK海力士提出了未來(lái)30年的新?DRAM?技術(shù)路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術(shù)將應(yīng)用于10nm及以下級(jí)內(nèi)存。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2814

  06/16 09:29

  dram HBM

  
• NAND閃存有壽命，那DRAM內(nèi)存也有壽命說(shuō)法嗎？

  這是一個(gè)NAND閃存的Cell，也就是用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元。NAND?閃存的存儲(chǔ)單元是浮柵晶體管，通過(guò)電子注入和釋放實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其?“壽命”?核心是擦寫(xiě)次數(shù)（P/E Cycle）。

  芯科技圈

  823

  06/11 09:07

  dram NAND閃存

  
• 研報(bào) | 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價(jià)漲幅擴(kuò)大

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價(jià)格上漲，預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期，分別季增18-23%和13-18%。

  TrendForce集邦咨詢

  871

  06/06 10:51

  dram DDR4

  
• 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價(jià)漲幅擴(kuò)大

  由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價(jià)格上漲，預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期，分別季增18-23%和13-18%。 DDR4世代的生命周期已超過(guò)10年，需求逐步由DDR5取代，加上HBM、DDR5、LPDDR5(X)等產(chǎn)品的利潤(rùn)率皆明顯較高，各主要供應(yīng)商已規(guī)劃終止生產(chǎn)DDR4，最后出貨時(shí)間大約落在202

  與非網(wǎng)編輯

  722

  06/05 16:20

  dram OEM

  
• 研報(bào) | 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫(kù)存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來(lái)的跌勢(shì)。

  TrendForce集邦咨詢

  820

  06/04 09:03

  dram

  
• 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元

  2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫(kù)存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來(lái)的跌勢(shì)。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機(jī)業(yè)者陸續(xù)完成庫(kù)存去化，并積

  與非網(wǎng)編輯

  1279

  06/03 13:51

  dram SK海力士

  
• 《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——受益于AI推動(dòng)，HBM&LDDDR5供不應(yīng)求

  核心觀點(diǎn) 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動(dòng)，2025年5月整體存儲(chǔ)器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈，預(yù)計(jì)維持至少一整年； 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來(lái)持續(xù)的庫(kù)存消耗，存儲(chǔ)庫(kù)存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求； 受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動(dòng)，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價(jià)格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最

  曹順程

  1755

  06/03 09:37

  人工智能 dram

  

正在努力加載...