內(nèi)存

• 16口反射內(nèi)存交換機

  16 口多模反射內(nèi)存交換機：高速數(shù)據(jù)共享的核心樞紐 在當今數(shù)字化和信息化高速發(fā)展的時代，數(shù)據(jù)的快速傳輸、實時共享以及高效處理成為了眾多行業(yè)和領域追求的關鍵目標。在這樣的背景下，16 口多模反射內(nèi)存交換機應運而生，成為了構建高性能數(shù)據(jù)共享網(wǎng)絡的重要組成部分。 具體型號為天津拓航科技 TH-HUB2G-2016反射內(nèi)存交換機。 16 口多模反射內(nèi)存交換機，從字面上理解，它是一種具備 16 個端口，且采

  天津拓航科技有限公司

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  07/01 10:05

  內(nèi)存 交換機
• GE 反射內(nèi)存交換機的特點

  1.高效數(shù)據(jù)處理能力：?能夠快速、?實時地傳輸和處理數(shù)據(jù)，?滿足各種應用需求。? 2.高度可配置性：?支持1到8口的SFP收發(fā)器配置，?適應不同通信距離和模式。? 3.自動旁路功能：?在檢測到故障時，?能自動旁路故障節(jié)點，?確保網(wǎng)絡穩(wěn)定運行。? 4.可擴展性：?支持級聯(lián)，?最多可支持256個節(jié)點的網(wǎng)絡，?滿足不同規(guī)模需求。? 5.監(jiān)控與控制：?通過RS232端口進行網(wǎng)絡狀態(tài)和配置的監(jiān)控與控制。?

  天津拓航科技有限公司

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  07/01 10:01

  內(nèi)存 交換機
• Samtec應用分享 適用于最新內(nèi)存應用的連接解決方案

  【摘要前言】 Samtec在為數(shù)據(jù)通信領域的存儲設備創(chuàng)建連接解決方案方面有著悠久的傳統(tǒng)。 內(nèi)存一直是任何計算機系統(tǒng)的重要組成部分。無論是在處理數(shù)據(jù)之前檢索數(shù)據(jù)，還是將其存儲起來以備后用，很難想象任何計算機系統(tǒng)可以沒有集成內(nèi)存。 【存儲的高速演進】 在整個微電子時代，存儲設備的性能隨著計算能力的提升而不斷擴展和演變。在Samtec協(xié)助致力于修復原始 “阿波羅制導計算機” 的團隊時，就是這一演變的完美

  Samtec中國

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  06/30 16:09

  連接器 內(nèi)存
• 開芯課堂 | 一芯多域零拷貝共享內(nèi)存技術：破解車載大數(shù)據(jù)傳輸效能困局

  通過零拷貝共享內(nèi)存技術，黑芝麻智能解決車載多域間大數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t與資源消耗問題。核心技術包括全局內(nèi)存管理單元和dmabuf機制優(yōu)化，顯著降低CPU負載與DDR帶寬占用，推動汽車向 "場景驅(qū)動" 架構演進。

  黑芝麻智能科技

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  06/24 10:09

  內(nèi)存 大數(shù)據(jù)

  
• 美光出貨全球首款基于 1γ（1-gamma）制程節(jié)點的 LPDDR5X 內(nèi)存，賦能移動 AI 應用

  美光 LPDDR5X 內(nèi)存專為旗艦智能手機設計，以業(yè)界領先的超薄封裝提供高速等級并顯著降低功耗 美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）宣布已開始出貨全球首款采用 1γ（1-gamma）制程節(jié)點的 LPDDR5X 內(nèi)存認證樣品。該產(chǎn)品專為加速旗艦智能手機上的 AI 應用而設計。美光 LPDDR5X 內(nèi)存具備業(yè)界領先的速率，達到每秒 10.7 Gb（Gbps），同時功耗可降低高達 20%1，為

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  06/06 11:00

  美光 內(nèi)存
• 新AI內(nèi)存：英偉達押注，比肩HBM

  在算力需求指數(shù)級增長的今天，存儲技術正經(jīng)歷著從"被動容器"到"主動參與者"的范式轉(zhuǎn)變。SOCAMM的誕生，標志著內(nèi)存模塊首次實現(xiàn)了對計算需求的動態(tài)響應能力。其同步架構通過統(tǒng)一時鐘信號實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)木珳示幣?，將帶寬提升至傳統(tǒng)DDR5的2.5倍，而適應性調(diào)節(jié)機制則讓模塊在低負載時自動進入節(jié)能模式，功耗僅為同類產(chǎn)品的三分之一。這種"智能節(jié)流"特性，使得SOCAMM在AI訓練場景中能根據(jù)模型復雜度實時調(diào)整資源分配，避免了傳統(tǒng)內(nèi)存"大馬拉小車"的效率損耗。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  05/26 09:15

  HBM 內(nèi)存

  
• 三星宣布開發(fā)出下一代內(nèi)存

  三星電子內(nèi)存事業(yè)部DRAM設計團隊大師孫教民在5月13日舉行的“AI半導體論壇早餐講座”上表示，“下一代CXL解決方案，我們還可以考慮將高速DRAM和大容量NAND結合起來的混合結構?！彼a充道：“它具有很高的發(fā)展?jié)摿?，因為它可以實現(xiàn)現(xiàn)有?DRAM?所不具備的新應用。”

  芯片說 IC TIME

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  05/14 11:40

  內(nèi)存

  
• Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案

  高性能數(shù)據(jù)中心和企業(yè)內(nèi)存解決方案現(xiàn)已上市，歡迎客戶垂詢合作 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內(nèi)對于更大內(nèi)存帶寬的需求，能適應企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP

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  05/07 20:18

  內(nèi)存 DDR5

  
• 內(nèi)存拆解報告：光威龍武 · 奕 32GB 6000MHz DDR5內(nèi)存

  近年來，新平臺已經(jīng)由DDR4內(nèi)存升級到DDR5內(nèi)存，簡單來說，DDR5內(nèi)存具備更低的功耗，更高的頻率，以及更高的帶寬，能夠更好的滿足包括AI在內(nèi)的高性能計算需求，從而成為市場的主流。并且DDR5內(nèi)存現(xiàn)已推出單條64GB規(guī)格，對大內(nèi)存容量需求更加友好。

  充電頭網(wǎng)

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  05/01 08:55

  拆解 拆解報告

  
• 如何設計實現(xiàn)一個無鎖高并發(fā)的環(huán)形連續(xù)內(nèi)存緩沖隊列

  隊列，也稱作FIFO，常用數(shù)據(jù)結構之一，特點是先進先出。隊列是一種特殊的線性表，特殊之處在于它只允許在表的前端（front）進行刪除操作，而在表的后端（rear）進行插入操作，和棧一樣，隊列是一種操作受限制的線性表。進行插入操作的端稱為隊尾，進行刪除操作的端稱為隊頭。

  大橙子瘋嵌入式

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  05/01 08:25

  內(nèi)存 fifo

  
• 科摩思繼年度黑馬再獲大陸內(nèi)存市場杰出新銳品牌

  科摩思以“南天門計劃問天戰(zhàn)甲”為設計理念推出面向主流用戶的承影機甲馬甲條系列和針對高端游戲玩家的天河玄女和赤霄白帝RGB燈條系列產(chǎn)品。其承影機甲DDR5內(nèi)存條憑借出色的性能表現(xiàn)成為市場爆款產(chǎn)品，該產(chǎn)品被太平洋智臻科技評為“年度內(nèi)存黑馬”，而科摩思更是被博板堂評為“大陸內(nèi)存市場杰出新銳品牌”。 KEYMOS科摩思大陸內(nèi)存產(chǎn)品市場杰出新銳品牌獎杯圖 作為超盈智能科技旗下品牌，科摩思充分依托母公司14年

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  02/17 07:04

  內(nèi)存 DDR5

  
• 英特爾Gaudi 2D AI加速器為DeepSeek Janus Pro模型提供加速

  近日，DeepSeek發(fā)布Janus Pro模型，其超強性能和高精度引起業(yè)界關注。英特爾? Gaudi 2D AI加速器現(xiàn)已針對該模型進行優(yōu)化，這使得AI開發(fā)者能夠以更低成本、更高效率實現(xiàn)復雜任務的部署與優(yōu)化，有效滿足行業(yè)應用對于推理算力的需求，為AI應用的落地和規(guī)?；l(fā)展提供強有力的支持。 作為一款創(chuàng)新性的 AIGC模型，DeepSeek Janus模型集成了多模態(tài)理解和生成功能。該模型首次采用

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  02/05 07:17

  DeepSeek 內(nèi)存

  
• Linux內(nèi)存占用分析的幾個方法，你知道幾個？

  系統(tǒng)內(nèi)存是硬件系統(tǒng)中必不可少的部分，定時查看系統(tǒng)內(nèi)存資源運行情況，可以幫助我們及時發(fā)現(xiàn)內(nèi)存資源是否存在異常占用，確保業(yè)務的穩(wěn)定運行。

  一口Linux

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  01/24 14:56

  Linux 內(nèi)存
• 《元器件動態(tài)周報》—搭上AI東風，HBM逆勢跑贏存儲

  核心觀點 2025年1月份存儲市場已經(jīng)從供需平衡轉(zhuǎn)向部分供過于求，整體存儲器件需求下降，但部分零部件在四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)中逆勢上漲； 交付周期和庫存均呈現(xiàn)下降趨勢，市場逐步回暖； 存儲整體價格趨于穩(wěn)定，波動變化不大。 三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 11 月，四方維商品動態(tài)商情內(nèi)存需求指數(shù)環(huán)比下降 6%，達到 66.1，創(chuàng)四年新低。 雖然由于人工智能的持續(xù)繁榮，HBM的銷售

  曹順程

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  01/20 08:45

  存儲 內(nèi)存

  
• 世界唯一可超頻 OC RDIMM，單條 256GB 6000MHz 超大容量！ !

  全何科技股份有限公司 (v-color Technology Inc.)，作為全球高性能內(nèi)存解決方案的領導者，隆重宣布推出全球首款 DDR5 OC RDIMM 可超頻的大容量內(nèi)存模塊。這些革命性 RDIMM 提供單模塊 128GB 和 256GB 的超大容量，支持高達 512GB（4x128GB）、1024GB（8x128GB 或 4x256GB） 以及業(yè)界首創(chuàng)的 2048GB（8x256GB）

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  01/09 08:43

  AI 內(nèi)存

  
• 英特爾新補丁修復五大問題，精細化超頻釋放酷睿Ultra 200S性能潛力

  今年10月之時，Intel最新代號Arrow Lake的酷睿Ultra 200S系列處理器發(fā)布，標志著桌面處理器在性能、功耗和能效方面的一次重大飛躍。這代處理器改進的地方相當之多，最直觀的就是制程工藝的改進，得益于3nm工藝的技術，以及大改的核心微架構，使得這代處理器不僅帶來了更強的性能釋放，同時也兼顧了更低的功耗和更高的能效比。 不過初期的表現(xiàn)并未能達到游戲玩家的預期，游戲性能在評測中兩極分化，

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  01/02 08:26

  CPU 內(nèi)存

  
• AI推理內(nèi)存革命：突破瓶頸，CPU性能飛躍

  AI推理、高性能計算和實時分析等行業(yè)，通常需要運行大量的工作負載，內(nèi)存帶寬如果跟不上處理器的提升速度，往往可能會導致計算瓶頸，影響工作負載執(zhí)行的效率和效果，這就需要對內(nèi)存技術進行革新。

  張慧娟

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  2024/12/05

  與非觀察 CPU
• 華邦電子攜手生態(tài)合作伙伴，共塑存儲產(chǎn)業(yè)新未來

  在數(shù)字化浪潮的推動下，全球電子產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷著前所未有的變革。隨著人工智能（AI）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和邊緣計算技術的快速發(fā)展，對于存儲解決方案的需求也在不斷增長和演變，同時也對存儲器件提出了更高要求：更大的存儲容量和帶寬、更低的功耗、更高的安全性等。 在此背景下，華邦電子作為全球領先的存儲解決方案供應商，憑借其在存儲領域的深厚積累和技術創(chuàng)新，正與業(yè)界巨頭緊密合作，共同探索新的市場機遇，推動產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與

  史德志

  1707

  2024/12/03

  dram 內(nèi)存

  
• 存儲巨頭縮減生產(chǎn)比重，DDR4或?qū)⑼顺鰵v史舞臺

  作為電腦系統(tǒng)的重要硬件，內(nèi)存是計算機中用于暫時存儲數(shù)據(jù)和指令的部件，它直接與CPU相連，是CPU進行數(shù)據(jù)交換的橋梁。內(nèi)存的速度和容量對計算機的整體性能有著直接的影響。作為計算機系統(tǒng)中至關重要的組成部分，內(nèi)存承擔著數(shù)據(jù)存儲與快速讀取的重任。從最早的DRAM到如今的DDR4乃至即將面世的DDR5，內(nèi)存技術不斷演進，每一次的技術革新都伴隨著性能的提升和應用范圍的拓寬。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2150

  2024/11/11

  內(nèi)存 DDR5

  
• 科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時序新標桿！

  深圳超盈智能科技有限公司（以下簡稱“超盈”）自2011年成立以來，13年的時間里一直專注于存儲芯片領域。憑借敏銳的市場洞察和不懈的技術追求，于2013年成功研發(fā)出行業(yè)首款嵌入式測試系統(tǒng)并投入使用，正式邁入存儲顆粒測試領域，產(chǎn)品廣泛應用于金融、教育、智能手機、智能穿戴、智能監(jiān)控、平板電腦、智能車載、機器人、無人機及工業(yè)類電子等領域。 匠心筑夢，品質(zhì)為先。超盈為打造高品質(zhì)、強穩(wěn)定性的存儲解決方案，以k

  與非網(wǎng)編輯

  2626

  2024/09/30

  內(nèi)存 DDR5

  

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