晶圓廠中的“高危崗位”有哪些？

晶圓廠（Fab）是一個(gè)高度復(fù)雜但同時(shí)潛藏大量高危因素的地方，雖然表面看起來是潔凈、自動(dòng)化的高科技車間，但其背后涉及高溫、高壓、毒氣、強(qiáng)腐蝕性化學(xué)品等潛在危險(xiǎn)。

一、化學(xué)品危害

1.?強(qiáng)腐蝕性化學(xué)品

常見物質(zhì)：

HF（氫氟酸）：腐蝕性極強(qiáng)，可穿透皮膚、侵蝕骨頭；

H2SO4、HNO3、KOH、NH4OH、TMAH：強(qiáng)酸/強(qiáng)堿，皮膚接觸易灼傷；

使用環(huán)節(jié)：清洗刻蝕站、顯影站、干法刻蝕站后清洗等。

2.?毒性氣體（特氣）

常見物質(zhì)：

AsH?（砷化氫）、PH?（磷化氫）、ClF?、SiH?：劇毒或易燃；

使用環(huán)節(jié)：CVD、擴(kuò)散爐、離子注入；

危險(xiǎn)點(diǎn)：

泄漏即可能致命；

與空氣或水反應(yīng)劇烈（如ClF?）。

3.?有機(jī)揮發(fā)物（VOC）

來自：光刻膠（PR）、稀釋劑、有機(jī)清洗劑；

隱患：引發(fā)慢性呼吸系統(tǒng)疾病、致癌。

二、電氣和機(jī)械風(fēng)險(xiǎn)

1.?高壓電擊

晶圓廠設(shè)備電壓常為數(shù)百伏至數(shù)千伏；

常見于：刻蝕設(shè)備、電源柜、離子注入設(shè)備。

2.?等離子體灼傷

干法刻蝕、灰化（ashing）過程使用高功率等離子體；

接觸或誤操作會(huì)造成灼傷、電擊。

3.?高速旋轉(zhuǎn)設(shè)備

如Dicing（劃片）設(shè)備、CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）平臺；

易造成切割傷、絞入風(fēng)險(xiǎn)。

4，高壓氣體供應(yīng)系統(tǒng)

氣瓶壓力可達(dá)2000 psi（約14MPa）；

管道泄漏、爆瓶等有致命風(fēng)險(xiǎn)。

三、熱風(fēng)險(xiǎn)

1.?高溫設(shè)備

擴(kuò)散爐、CVD爐溫度達(dá)1000°C以上；

設(shè)備腔體/爐管維修時(shí)有嚴(yán)重燙傷風(fēng)險(xiǎn)。

2.?熱化學(xué)反應(yīng)器，如熱酸清洗機(jī)

觸碰或潑濺液體可能造成深度燒傷。

四：物理傷害：電子輻射或激光

還有哪些危害，歡迎補(bǔ)充！不過也不用太擔(dān)心，按照規(guī)范操作，對自身沒有太大的影響。