芯耀
297
晶圓濕法清洗后吹掃氮氣（N?）的純度要求至關重要，直接影響晶圓表面潔凈度、干燥效果及后續(xù)工藝良率。以下是關鍵分析：
1. 核心要求
典型純度：99.999%（5N）以上，部分高端制程（如EUV光刻）可能要求99.9999%（6N）。
雜質控制重點：
氧氣（O?）：<1 ppm（避免氧化殘留污染物或影響金屬層）。
水蒸氣（H?O）：露點≤-70℃（防止水漬殘留導致顆粒團聚或腐蝕）。
顆粒物：<0.1 μm（通過過濾器實現(xiàn)，如0.003μm濾芯）。
其他氣體：如氬氣（Ar）、氦氣（He）等惰性氣體殘留需低于ppb級。
2. 技術依據(jù)
RCA清洗標準：在SC1/SC2濕法清洗后，氮氣吹掃是標準步驟，用于快速干燥并形成惰性保護氛圍35。
SEMI標準：
F47-1101：規(guī)定氮氣中總顆粒數(shù)≤3.5×10?個/m3（≥0.1 μm）。
C79-13：要求水分含量≤10 ppb（對應露點≤-70℃）。
行業(yè)實踐：
先進制程（如3nm及以下）對氮氣純度要求趨嚴，部分廠商采用現(xiàn)場制氮系統(tǒng)（PSA變壓吸附或膜分離技術）確保實時供應高純氮。
3. 關鍵影響因素
純度不足的后果：
氧化風險：O?殘留可能導致金屬層（如Al、Cu）氧化，影響電學性能。
水漬殘留：H?O未徹底去除會吸附顆粒或引發(fā)化學腐蝕（如NaCl溶液殘留）。
顆粒污染：氮氣中的顆粒可能二次污染晶圓表面，導致良率下降。
吹掃工藝優(yōu)化：
流速與角度：采用層流或旋風吹掃（流速20-30 m/s），確保晶圓表面均勻干燥。
溫度控制：氮氣預熱至30-50℃，加速水分蒸發(fā)25。
環(huán)境隔離：吹掃時保持腔室潔凈度（Class 10或更高），避免外部污染。
晶圓濕法清洗后氮氣吹掃的純度要求通常為99.999%以上，需嚴格控制O?、H?O和顆粒物含量。實際工藝中需結合SEMI標準、制程節(jié)點需求及設備能力（如過濾器精度、供氣系統(tǒng)）綜合設計，以確保晶圓表面無殘留污染，滿足后續(xù)光刻、蝕刻等關鍵步驟的良率要求。
