• 正文
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

DFT 之 MBIST存儲器內(nèi)建自測試

2024/05/20
5727
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

日??偨Y(jié),如有錯誤,歡迎留言區(qū)批評指正

MBIST是Memory Build-In-Self Test的簡稱,意為存儲器內(nèi)建自測試?!皟?nèi)建”的含義是指針對存儲器的測試向量不是由外部測試機臺(ATE:Auto-Test-Equipment)生成,而是由內(nèi)建的存儲器測試邏輯自動產(chǎn)生,并進(jìn)行結(jié)果的對比。MBIST測試中,只需要從機臺通過JTAG標(biāo)準(zhǔn)接口下達(dá)測試的指令,就可以從TDO接口獲取測試結(jié)果。

為什么要進(jìn)行內(nèi)建自測試呢?原因主要有:

a)存儲器在很小的面積內(nèi)集成了很多存儲單元,對ATE的測試成本過高,不適用于從外部灌入針對存儲器的測試向量;

b)Memory測試的特殊性——需要測試的單元很多,但分布規(guī)整,可利用算法批量產(chǎn)生測試向量;

c)在線測試的需求——汽車電子的安全性,需求在芯片運行時仍保持在線測試(即不依賴測試機臺,可集成于板級、芯片內(nèi)或由軟件調(diào)用,來實現(xiàn)隨時隨需的測試),隨時排除可能出現(xiàn)的故障。

因此我們可總結(jié)出內(nèi)建自測試的優(yōu)勢:因為測試向量由內(nèi)部邏輯生成,相應(yīng)模塊可同被測試的存儲器一同工作在內(nèi)部的高速功能時鐘下,而無需由機臺慢速時鐘移入測試向量,可節(jié)省大量的測試時間;另一方面,對比驗證也同樣交給內(nèi)部邏輯自行完成,測試機臺只需要收集測試結(jié)果,也可大幅減少測試時間。代價是內(nèi)建自測試的邏輯對面積的占用很高,也不具備自由配置或更改測試向量的條件。

MBIST技術(shù)的缺點是增加了芯片的面積并有可能影響芯片的時序特性,然而,隨著存儲器容量的增加,這種方法所增加的芯片面積所占的比例相對很小,而且這種測試技術(shù)還有很多其它技術(shù)優(yōu)勢。

首先它可以實現(xiàn)可測性設(shè)計的自動化,自動實現(xiàn)通用存儲器測試算法,達(dá)到高測試質(zhì)量、低測試成本的目的;其次MBIST電路可以利用系統(tǒng)時鐘進(jìn)行“全速”測試,從而覆蓋更多生成缺陷,減少測試時間;最后它可以針對每一個存儲單元提供自診斷和自修復(fù)功能。

此外MBIST的初始化測試向量可以在很低成本的測試設(shè)備上進(jìn)行。所以,從高測試質(zhì)量、低測試成本的角度考慮,MBIST是目前嵌入式存儲器測試設(shè)計的主流技術(shù)。

參考文獻(xiàn):

https://developer.aliyun.com/article/740412

https://www.cnblogs.com/gujiangtaoFuture/articles/10028497.html

https://blog.csdn.net/lijiuyangzilsc/article/details/117960263

推薦器件

更多器件
器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風(fēng)險等級 參考價格 更多信息
DSC1103CL5-106.2500 1 Microchip Technology Inc OSC MEMS 106.25MHZ LVDS SMD
$3.13 查看
NLVVHC1GU04DFT2G 1 onsemi Unbuffered Single Inverter, SC-88A (SC-70-5 / SOT-353), 3000-REEL
$0.85 查看
TJA1042T,118 1 NXP Semiconductors TJA1042 - High-speed CAN transceiver with Standby mode SOIC 8-Pin

ECAD模型

下載ECAD模型
$1.52 查看

相關(guān)推薦