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  • 新一代DRAM技術(shù)和市場趨勢深度解讀分享
    FMS 2024報(bào)告，作者是Yole Intelligenc首席分析師Simone Bertolazzi博士。 一、內(nèi)存與計(jì)算技術(shù)發(fā)展態(tài)勢 數(shù)據(jù)來源：YoleYole Intelligence聯(lián)合Intel、Micron共同發(fā)布內(nèi)存與計(jì)算技術(shù)發(fā)展態(tài)勢，核心揭示了內(nèi)存性能提升速度已無法匹配計(jì)算需求的爆炸式增長，呈現(xiàn)了以下關(guān)鍵矛盾與趨勢： 1.計(jì)算需求加速 vs 內(nèi)存帶寬滯后 左側(cè)圖表顯示計(jì)算芯片的核
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    9小時(shí)前
    新一代DRAM技術(shù)和市場趨勢深度解讀分享
  • 混合鍵合，下一個(gè)焦點(diǎn)
    作者；豐寧 "混合鍵合"?之戰(zhàn)，似乎已箭在弦上。 不管是在晶圓代工龍頭、存儲(chǔ)芯片巨頭還是半導(dǎo)體設(shè)備龍頭的發(fā)展路線圖中，幾乎都能看到?"混合鍵合（Hybrid Bonding）"?這一關(guān)鍵詞。 那么，為何這項(xiàng)技術(shù)能讓臺(tái)積電、三星等巨頭集體押注？它又憑什么征服先進(jìn)封裝的下一個(gè)十年？ 01 混合鍵合，下一個(gè)十年 隨著摩爾定律逐漸進(jìn)入其發(fā)展軌跡的后半段，芯片產(chǎn)業(yè)越來越依賴先進(jìn)的封裝技術(shù)來推動(dòng)性能的飛躍。這
    混合鍵合，下一個(gè)焦點(diǎn)
  • 存儲(chǔ)大廠最新財(cái)報(bào)超業(yè)界預(yù)期
    在人工智能、數(shù)據(jù)中心等助力下，存儲(chǔ)市場發(fā)展勢頭較為強(qiáng)勁，受益于此，近期存儲(chǔ)大廠美光科技率先交出亮眼財(cái)報(bào)。
  • 突發(fā)！SK海力士280億項(xiàng)目遭起訴！
    SK海力士在美國印第安納州的“高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）半導(dǎo)體封裝及研發(fā)工廠項(xiàng)目”正面臨當(dāng)?shù)鼐用竦男姓V訟。如果項(xiàng)目延期，預(yù)計(jì)將影響其獲得《芯片保護(hù)與信息處理法案》（CHIPS Act）補(bǔ)貼和集群建設(shè)計(jì)劃。
  • 突發(fā)！千億晶圓廠項(xiàng)目推遲
    SK海力士在投資擴(kuò)大其尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）產(chǎn)能方面持謹(jǐn)慎態(tài)度。據(jù)悉，該公司推遲了原定的提前將設(shè)備引入新工廠的計(jì)劃，今年整體設(shè)備投資規(guī)模的最終確定時(shí)間也被推遲。
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    06/19 10:50
    突發(fā)！千億晶圓廠項(xiàng)目推遲
  • 三星又向博通供應(yīng)HBM3E
    繼AMD之后，三星電子正向博通供應(yīng)第五代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。今年第一季度，三星電子在向NVIDIA供應(yīng)HBM方面，將全球DRAM銷量冠軍寶座拱手讓給了SK海力士，但憑借一系列大型科技訂單，三星電子已為復(fù)蘇奠定了基礎(chǔ)。如果三星電子能夠順利獲得NVIDIA的認(rèn)證（批準(zhǔn)），而這是其今年下半年面臨的最大挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器“超缺口”的收復(fù)也將加速。
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    06/19 09:57
    三星又向博通供應(yīng)HBM3E
  • DRAM，開啟30年“新賭局”
    DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會(huì)在日本東京舉行，會(huì)議上SK海力士提出了未來30年的新?DRAM?技術(shù)路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術(shù)將應(yīng)用于10nm及以下級(jí)內(nèi)存。
    DRAM，開啟30年“新賭局”
  • 三家半導(dǎo)體大廠搶灘HBM與先進(jìn)封裝設(shè)備
    隨著全球人工智能（AI）與高性能計(jì)算（HPC）需求的爆發(fā)式增長，高帶寬內(nèi)存HBM已成為支撐下一代算力基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵技術(shù)。HBM通過3D封裝堆疊多層DRAM，并利用硅通孔（TSV）實(shí)現(xiàn)高速互聯(lián)，對(duì)芯片制造與封裝設(shè)備提出了更高要求。在此背景下，全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠正積極布局，其中韓美半導(dǎo)體、中微公司、盛美上海近期動(dòng)作頻頻，顯示出在HBM及先進(jìn)封裝領(lǐng)域的強(qiáng)勁發(fā)力。
    三家半導(dǎo)體大廠搶灘HBM與先進(jìn)封裝設(shè)備
  • 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
    2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來的跌勢。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機(jī)業(yè)者陸續(xù)完成庫存去化，并積
    2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
  • 新AI內(nèi)存：英偉達(dá)押注，比肩HBM
    在算力需求指數(shù)級(jí)增長的今天，存儲(chǔ)技術(shù)正經(jīng)歷著從"被動(dòng)容器"到"主動(dòng)參與者"的范式轉(zhuǎn)變。SOCAMM的誕生，標(biāo)志著內(nèi)存模塊首次實(shí)現(xiàn)了對(duì)計(jì)算需求的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。其同步架構(gòu)通過統(tǒng)一時(shí)鐘信號(hào)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)木珳?zhǔn)編排，將帶寬提升至傳統(tǒng)DDR5的2.5倍，而適應(yīng)性調(diào)節(jié)機(jī)制則讓模塊在低負(fù)載時(shí)自動(dòng)進(jìn)入節(jié)能模式，功耗僅為同類產(chǎn)品的三分之一。這種"智能節(jié)流"特性，使得SOCAMM在AI訓(xùn)練場景中能根據(jù)模型復(fù)雜度實(shí)時(shí)調(diào)整資源分配，避免了傳統(tǒng)內(nèi)存"大馬拉小車"的效率損耗。
    新AI內(nèi)存：英偉達(dá)押注，比肩HBM
  • 突發(fā)！SK海力士77份HBM機(jī)密文件被泄露
    金某曾是SK 海力士的員工，因竊取技術(shù)并轉(zhuǎn)讓給國外企業(yè)而受到審判，他被發(fā)現(xiàn)持有77 份與高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) 相關(guān)的文件，這些文件在一臺(tái) iPad 上。 HBM是SK海力士旗下的尖端技術(shù)，被稱為人工智能（AI）的引擎。
    突發(fā)！SK海力士77份HBM機(jī)密文件被泄露
  • HBM4新規(guī)格拉高制造門檻，預(yù)期溢價(jià)幅度逾30%
    HBM技術(shù)發(fā)展受AI Server需求帶動(dòng)，三大原廠積極推進(jìn)HBM4產(chǎn)品進(jìn)度。由于HBM4的I/O（輸入/輸出接口）數(shù)增加，復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì)使得晶圓面積增加，且部分供應(yīng)商產(chǎn)品改采邏輯芯片架構(gòu)以提高性能，皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時(shí)的溢價(jià)比例約為20%，預(yù)計(jì)制造難度更高的HBM4溢價(jià)幅度將突破30%。 AI芯片領(lǐng)先業(yè)者NVIDIA（英偉達(dá)）于今年GTC大會(huì)亮相最新Rubin GPU，AMD（超
    HBM4新規(guī)格拉高制造門檻，預(yù)期溢價(jià)幅度逾30%
  • 英偉達(dá)中國特供芯片徹底砍掉HBM！
    據(jù)《日經(jīng)亞洲》5月17日?qǐng)?bào)道，英偉達(dá)（Nvidia）為維持中國市場份額，在美政府嚴(yán)格出口管制下，計(jì)劃推出兩款專為中國市場打造的人工智能芯片。
    英偉達(dá)中國特供芯片徹底砍掉HBM！
  • SK海力士又采購HBM設(shè)備
    隨著SK海力士、韓美半導(dǎo)體、韓華半導(dǎo)體三家在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）半導(dǎo)體設(shè)備市場的三足鼎立之勢持續(xù)，業(yè)界正關(guān)注SK海力士本月的新設(shè)備訂單。這是因?yàn)闆_突的方向可能會(huì)根據(jù)?SK Hynix?的選擇而改變。
    SK海力士又采購HBM設(shè)備
  • 韓美半導(dǎo)體對(duì)華斷供HBM制造設(shè)備？
    近日，有業(yè)內(nèi)自媒體爆料稱，韓國設(shè)備廠商Hanmi Semiconductor（韓美半導(dǎo)體，以下簡稱“Hanmi”）已經(jīng)向中國廠商發(fā)出了即將斷供熱壓鍵合機(jī)（TC Bonder）通知。而TC Bonder則是高帶寬內(nèi)存（HBM）制造及先進(jìn)封裝所需的關(guān)鍵設(shè)備。
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    05/12 11:10
    HBM
    韓美半導(dǎo)體對(duì)華斷供HBM制造設(shè)備？
  • 傳韓國斷供HBM設(shè)備
    據(jù)知情人士透露，韓國政府計(jì)劃限制HBM（高帶寬內(nèi)存）設(shè)備的出口，特別是關(guān)鍵的TC Bonder（熱壓鍵合機(jī)）設(shè)備。據(jù)悉，韓國政府已要求本土主要的TC Bonder制造商，暫停向特定國家和地區(qū)的客戶交付設(shè)備，同時(shí)收緊對(duì)相關(guān)技術(shù)出口的審批流程。
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    05/12 10:25
    HBM
    傳韓國斷供HBM設(shè)備
  • 《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——高關(guān)稅困擾下的存儲(chǔ)市場表現(xiàn)
    核心觀點(diǎn) 2025年4月份存儲(chǔ)市場整體存儲(chǔ)器件需求穩(wěn)步增長，部分器件在四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)中環(huán)比上漲； 整體庫存水位持續(xù)下降，NAND和傳統(tǒng)DRAM交貨時(shí)間不斷延長； 受關(guān)稅影響，原材料成本上揚(yáng)傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端，推動(dòng)現(xiàn)貨市場部分存儲(chǔ)價(jià)格走強(qiáng)。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最新供需動(dòng)態(tài) 市場需求分析 4月，四方維商品動(dòng)態(tài)商情存儲(chǔ)需求指數(shù)環(huán)比上升7.38%，同比下降-29.71%。 小型語言模型的興起，
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    04/24 08:04
    《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——高關(guān)稅困擾下的存儲(chǔ)市場表現(xiàn)
  • HBM與先進(jìn)封裝：AI算力革命的隱形賽點(diǎn)
    人工智能大模型的爆發(fā)式發(fā)展正重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。從訓(xùn)練千億參數(shù)的Transformer模型到實(shí)時(shí)推理的生成式AI應(yīng)用，算力需求呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長。據(jù)IDC預(yù)測，2025年中國智能算力規(guī)模將達(dá)1037.3 EFLOPS，增長43%。
    HBM與先進(jìn)封裝：AI算力革命的隱形賽點(diǎn)
  • 存儲(chǔ)芯片，正式漲價(jià)
    今日，存儲(chǔ)芯片正式開始漲價(jià)浪潮。自此，存儲(chǔ)市場長達(dá)多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來轉(zhuǎn)折。存儲(chǔ)芯片的兩大主力產(chǎn)品?NAND?與?DRAM，在新一季度的市場表現(xiàn)也各不相同。
    存儲(chǔ)芯片，正式漲價(jià)

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