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瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 保護器件（例如屏蔽電纜、撬棒、濾波器和鉗位器件）多年來已廣泛用于解決 EMI 問題。這些 TVS 器件可用于實現(xiàn)更高的 EMI 和更高的抗擾度水平，而不會顯著增加電路的成本和復雜性。傳統(tǒng) TVS 器件的屬性將與相對較新的選擇（雪崩二極管 TVS EMI 濾波器）的特性進行比較。 IC制造的最新進展,與傳統(tǒng) EMI 器件相比，TVS 技術為 TVS 二極管提供了多項技術和成本優(yōu)勢。

背景

瞬態(tài)浪涌電壓是不良的主要原因

可靠性。浪涌電壓也會導致不穩(wěn)定的行為

控制電路并影響其正常工作

電子產品。瞬態(tài)浪涌電壓通?？梢允?/div>

歸因于：

? 相鄰電路的負載突然變化

? 電源波動

? 通過電纜耦合電子干擾

? 開關觸點的打開或關閉

? 閃電

? 靜電放電

電源和數(shù)據(jù)電纜是傳導和耦合瞬態(tài)浪涌電壓的公共入口點。在許多系統(tǒng)中，公共電源由多個電子模塊共享。這些模塊還通過通信總線相互連接，這些總線通常與電源線位于同一線束中。寄生電纜電容和電感為電源線浪涌電壓耦合到數(shù)據(jù)線提供了路徑。

器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價格	更多信息
796642-8	1	TE Connectivity	(796642-8) 8POS 5.0MM CE VRT HDR,TRM BLK	ECAD模型下載ECAD模型	$3.81	查看
NDT2955	1	Fairchild Semiconductor Corporation	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET		$0.79	查看
BSS84	1	Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,		$0.17	查看

器件型號

數(shù)量

器件廠商

器件描述

數(shù)據(jù)手冊

ECAD模型

風險等級

參考價格

更多信息

796642-8

TE Connectivity

(796642-8) 8POS 5.0MM CE VRT HDR,TRM BLK

$3.81

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NDT2955

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

$0.79

查看

BSS84

Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

$0.17

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瞬態(tài)電壓抑制器件簡介

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