芯耀
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市場占有率排名第三的美光6月時就宣布量產第四代10納米級（1a）制程DRAM，并供貨AMD和Acer，是世界第一家量產第四代10納米級制程DRAM的公司。
SK海力士量產第4代DRAM
據韓國中央日報日語版 7月13日報道，SK海力士開始利用EUV光刻機生產第4代DRAM。繼內存排名第三的鎂光之后，SK-海力士成了第二家量產第4代DRAM的廠家。
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4)是專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。
此次SK海力士量產的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點。預計從下半年開始向智能手機廠商供應適用1a納米級技術的移動端DRAM。
SK海力士通過此次量產確保了EUV工藝技術的穩(wěn)定性，并表示未來的1a納米級 DRAM都將采用EUV工藝進行生產。
相較前一代1z納米級工藝的同樣規(guī)格產品，1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產出的產品數量約提高了25%。此次新產品穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產品其功耗也降低了約20%。
在本次LPDDR4產品之后，SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。10納米級DRAM是今年1月，由鎂光首次出貨的，這給市場帶來了不小的震動。不過，鎂光將使用現(xiàn)有的氟化氬工藝而不是EUV來生產該產品。
新產品的速率將穩(wěn)定在4266 Mbps，是標準LPDDR4移動端DRAM規(guī)范中最快的傳輸速率，同時功耗將降低20%，SK海力士將從明年初開始將1a nm級工藝技術應用于旗下的DDR5產品。
這次比較特別的是，SK海力士通過部分采用了EUV技術，完成了對其穩(wěn)定性的驗證，首次使用EUV光刻設備進行量產。此次量產的1a納米級DRAM在生產效率和成本競爭力層面都有改善，從而可以期待更高的盈利。通過將EUV技術全面導入量產程序，SK海力士有望進一步鞏固引領尖端技術的高新企業(yè)地位。
利用EUV光刻技術生產芯片將被擴大
如今半導體產業(yè)對于芯片制作精密度的要求越來越高，半導體技術繼續(xù)向超微級發(fā)展，但卻卡在18nm-15nm區(qū)間無法突破。
因此，越來越多的半導體公司開始嘗試使用EUV光刻機進行半導體制作，以求實現(xiàn)技術突破。
EUV光刻機技術是指在極紫外光下，通過反射投影光學系統(tǒng)，將反射掩模上的圖形投影成像在硅片表面的光刻膠上。
與先前的1znm節(jié)點相比，1anm技術將在相同尺寸的晶圓芯片上增加25%的芯片數量，穩(wěn)定運行速率達到4266Mbps，是目前標準LPDDR4移動DRAM中運行速度最快的存在；
并且在增加傳輸速率的同時減少了20%的功耗，這將減少二氧化碳的排放，有利于踐行綠色發(fā)展觀。
隨著技術的遷移，越來越多的半導體企業(yè)采用EUV光刻設備生產芯片，一家半導體企業(yè)在技術上的領先取決于如何充分利EUV光刻設備。
采用EUV技術生產DRAM的好處
多年來，半導體光刻設備取得了許多進步，EUV能夠幫助繪制更精細的電路，因此可以讓芯片在相同的表面積內存儲更多的數據。
采用EUV技術生產DRAM的好處：可以用更小、更精細的形式繪制電路；大幅節(jié)省了掩模成本和光刻處理步驟；在相同的表面積中能夠存儲更多的數據；芯片能耗更令人滿意。
同時，使電路更精細意味著更多的邏輯門能夠安裝在單個芯片中。通過這樣的方式，就可以讓芯片變得更強大，更節(jié)能。
在部署EUV后，芯片的表面積得到了更有效的利用，為此，業(yè)內的人爭先恐后地為自己的生產線完善這項技術。
三大DRAM大廠開啟EUV制程競賽
當下，韓國企業(yè)在存儲芯片市場的分量越來越重，這也推動了該國相關產業(yè)的發(fā)展。
據國際研究機構，2021年1-3月，全球智能手機存儲芯片市場規(guī)模達到114億美元（約合人民幣738億元），同比大增21%；
市場調查機構《Strategy Analytics》最新研究報告資料指出，2021年第一季，全球智能手機DRAM市場總銷金額售額達114億美元，較2020年同期增長21%。
DRAM存儲器市場的先進工藝集中度極高，當前僅被極少數廠商掌握，而作為DRAM領域內的三大巨頭廠商：三星、SK海力士和美光，更是掌握了大部分的先進技術和DRAM市場大半的市場份額。
在未來，三星和美光都將啟用EUV光刻設備生產DRAM產品，但美光會更晚一些，按計劃要等到2024年。
三星電子在今年1月末發(fā)表業(yè)績時明確表示今年內將使用EUV工藝來量產第4代DRAM產品。
面對美光，SK海力士也投資2月落成的M16新芯片廠，預計達8000億韓元設置生產設備，包括EUV曝光機，年底前達每月量產1.8萬片12英寸芯片。
美光也不甘示弱，日前財報會議透露正與ASML展開采購談判，預計2024年使用EUV曝光設備生產內存。
SK海力士計劃在2025年底前花費4.75萬億韓元來確保EUV設備。
結尾
隨著生產力和成本競爭力的提高，最新的1anm DRAM不僅有助于確保高利潤率，而且還鞏固了SK 海力士作為領先技術公司的地位，盡早采用EUV光刻技術進行大規(guī)模生產。
部分資料參考：
柏柏說科技：《SK海力士計劃量產1anmDRAM，國際DRAM競爭加劇，國產DRAM迎來挑戰(zhàn)》
十輪網：《追趕美光進度，SK海力士宣布量產第四代10納米級DRAM》
半導體行業(yè)觀察：《DRAM，進入EUV時代》
