芯耀
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7月20日，華微電子在與投資者互動時表示，公司的IGBT主要用在工業(yè)控制、白色家電、小家電和汽車（含新能源汽車）上，并在全力開發(fā)新一代Trench FS IGBT產(chǎn)品和逆導(dǎo)型IGBT產(chǎn)品平臺。華微電子同時透露，于2017年開始建設(shè)的8英寸產(chǎn)線已經(jīng)通線。
據(jù)華微電子介紹，其主要從事功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計研發(fā)、芯片制造、封裝測試、銷售等業(yè)務(wù)。華微電子堅持生產(chǎn)、研發(fā)、儲備相結(jié)合的技術(shù)開發(fā)戰(zhàn)略，不斷向功率半導(dǎo)體器件的中高端技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域拓展；已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產(chǎn)品到第六代IGBT國內(nèi)最齊全、最具競爭力的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品體系，正逐步由單一器件供應(yīng)商向整體解決方案供應(yīng)商轉(zhuǎn)變；同時華微電子積極向新能源汽車、變頻家電、工業(yè)和光伏新興領(lǐng)域快速拓展，并已取得良好效果，為持續(xù)發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。
此前，華微電子將2021年看作是其發(fā)展變革關(guān)鍵的一年，按計劃繼續(xù)深耕工控、白電、光伏、汽車電子行業(yè)，推進產(chǎn)品技術(shù)變革，提升核心技術(shù)研發(fā)能力；實現(xiàn)重點產(chǎn)品技術(shù)突破，完善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。為此，華微電子制定了如下今年重點推動的產(chǎn)品技術(shù)平臺項目：
1、超結(jié)MOSFET：完成8寸超級MOSFET平臺建設(shè)及系列化，拓展公司在電源領(lǐng)域的產(chǎn)品市場份額。
2、IGBT：拓展白色家電、工業(yè)變頻、UPS和新能源領(lǐng)域IGBT產(chǎn)品的份額；開發(fā)新一代TrenchFSIGBT產(chǎn)品和逆導(dǎo)型IGBT產(chǎn)品平臺；豐富PM和IPM模塊產(chǎn)品，并積極推進在工業(yè)和家電內(nèi)的市場應(yīng)用。
3、CCTMOS：建立80V、100V、150VCCTMOS的8寸工藝平臺，進一步降低產(chǎn)品導(dǎo)通電阻，拓展電源領(lǐng)域和電池保護（BMS領(lǐng)域）的應(yīng)用。
4、超高壓FRD：建立3300V、4500V超高反壓快恢復(fù)二極管，推動超高壓FRD模塊的市場推廣,為我司FRD和IGBT產(chǎn)品進入軌道交通、電網(wǎng)等領(lǐng)域奠定基礎(chǔ)。
5、可控硅產(chǎn)品：進行平面可控硅產(chǎn)品的系列化及在白色家電和漏電保護領(lǐng)域的產(chǎn)品推廣。
6、TVS和齊納二極管：開發(fā)TVS和齊納二極管類產(chǎn)品工藝平臺，提升公司產(chǎn)品配套能力。
7、第三代半導(dǎo)體：開發(fā)SiCSBD產(chǎn)品和650VGaN器件，實現(xiàn)在工業(yè)電源和快充領(lǐng)域的應(yīng)用。
